Toshiba también compite en el mercado de los SSD

Todos los SSD se basan en memoria flash, se caracteriza por aportar una mayor velocidad respecto de los discos magnéticos tradicionales.  Los primeros modelos que conocimos en el 2007 iniciaron una revolución en el almacenamiento de nuestros ordenadores con memorias SLC (Single-Layer Cell).

Las memorias SLC se caracterizan por almacenar un bit en cada celda. Esta tecnología se encontraba en los primeros SSD y suponía unos costes muy altos debido a su capacidad que era relativamente limitada. Después surgieron las memorias MLC (Multi-Level Cell) con capacidad de almacenar dos bits por celda. Más tarde la industria dio el siguiente paso hacia los TLC (Triple-Level Cell), es decir, almacenar tres bits por celda. Esta técnica sigue la misma línea de introducir más en el mismo espacio pero supone nuevos niveles de complejidad tanto para determinar el estado en el que nos encontramos como para asignar un nuevo estado.

Memoria 3D NANDEn este punto, Toshiba ha trabajado junto a SanDisk para lanzar la primera memoria NAND 3D del mercado, que cuenta con 48 capas, ganándole por un corto plazo a sus rivales que poseen diseños de 32 capas. La arquitectura se traduce en mayores densidades celulares y más capacidad de almacenamiento en un paquete más pequeño.

Las nuevas memorias utilizan la tecnología de apilamiento vertical BiCS (Bit Cost Scalable) que permite almacenar dos bits de datos en cada transistor, es decir, se trata de chips flash MLC, con lo que cada chip puede alcanzar una capacidad de almacenamiento de hasta 16 GB.

La memoria 3D NAND no utiliza compuertas flotantes como sucede con el diseño V-NAND de Samsung o el de Intel y Micron. En su lugar, se basa en trampas de carga construidas con material aislante para reducir la pérdida de electrones.

La ventaja de la tecnología de apilado de celdas que caracteriza a este tipo de memorias, permite superar las barreras que actualmente presenta la memoria NAND 2D, tanto a nivel de rendimiento como de capacidad y costes.

Toshiba utilizando memorias TLC (Triple-Level Cell) ha logrado superar a Samsung, con su tecnología V-NAND de 32 capas. La tecnología de Intel y Micron también ofrece 32 capas, pero es posible encontrarla en variantes TLC (con hasta 32 GB de datos por chip) como MLC (hasta 48 GB de datos por chip).

Las memorias 3D NAND se emplearán para tarjetas de expansión de gran capacidad que pueden superar desde los 3.5 TB has los 10Tb en la misma superficie de una unidad 2.5″ actual.

Será en 2016 cuando comience la producción en masa de este tipo de memorias. Lo mismo ocurrirá con los productos que utilicen la tecnología 3D NAND.

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